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型号 PUMD14,115
厂商 NXP Semiconductors
描述 TRANS PREBIASED DUAL SOT666
PUMD14,115 PDF
代理商 PUMD14,115
标准包装 3,000
晶体管类型 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大） 100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧） 47k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 100 @ 1mA，5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） 150mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大） 1µA
功率 - 最大 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装 6-TSSOP
包装 带卷 (TR)
其它名称 934058905115
PUMD14 T/R
PUMD14 T/R-ND
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